Vés al contingut

Fitxer:Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de.svg

El contingut de la pàgina no s'admet en altres llengües.
De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure

Fitxer original ‎(fitxer SVG, nominalment 625 × 400 píxels, mida del fitxer: 27 Ko)

Descripció a Commons

Resum

Descripció
English: Lateral cut of a metal oxide semiconductor field-effect transistor with the channel. Coloured, with german descriptions
Deutsch: Eingefärbtes Schema eines n-Kanal w:de:MOSFET. Die Anschlüsse sind:
  • S: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
  • G: Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
  • D: Drain (engl. für „Abfluss“)
  • B: Bulk/Substrat

Mit steigender Spannung zwischen Gate und Bulk bzw. Substrat (hier rot dargestellt) werden dabei zuerst die Majoritätsladungsträger verdrängt und es bildet sich durch Ladungsträger-Verarmung ein nichtleitendes Gebiet. Steigt die Spannung weiter, kommt es zur Inversion, das p-dotierte Substrat wird unterhalb des Gates n-leitend und bildet einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain.

('+' bedeutet in dieser Abbildung starke Dotierung.)
Data
Font Treball propi
Autor Arne Nordmann (norro}
w:ca:Creative Commons
reconeixement compartir igual
Aquest fitxer està publicat sota la llicència de Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 2.5 Genèrica.
Sou lliure de:
  • compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
  • adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
  • reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
  • compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original

Llegendes

Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer

Elements representats en aquest fitxer

representa l'entitat

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

Data/horaMiniaturaDimensionsUsuari/aComentari
actual21:10, 3 maig 2006Miniatura per a la versió del 21:10, 3 maig 2006625 × 400 (27 Ko)Norrosmall mistake
21:00, 3 maig 2006Miniatura per a la versió del 21:00, 3 maig 2006625 × 400 (27 Ko)NorroSeems like Batik is not able to render arrows yet, so drew them by myself
20:56, 3 maig 2006Miniatura per a la versió del 20:56, 3 maig 2006625 × 400 (27 Ko)Norrorevised
22:09, 2 maig 2006Miniatura per a la versió del 22:09, 2 maig 2006625 × 525 (30 Ko)Norroimproved
23:31, 1 maig 2006Miniatura per a la versió del 23:31, 1 maig 2006525 × 438 (29 Ko)Norroimproved
22:53, 1 maig 2006Miniatura per a la versió del 22:53, 1 maig 2006525 × 438 (28 Ko)Norroadded depletion zone
22:28, 1 maig 2006Miniatura per a la versió del 22:28, 1 maig 2006563 × 438 (23 Ko)NorroScheme of n-MOSFET with channel, german descriptions

La pàgina següent utilitza aquest fitxer:

Ús global del fitxer

Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:

Obtingut de «https://ca.wikipedia.org/wiki/Fitxer:Scheme_of_n-metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor_with_channel_de.svg»